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Kioxia和西部数据希望通过XL-FLASH对抗Intel Optane

发布者: justinavril | 发布时间: 2020-3-7 14:22| 查看数: 103| 评论数: 0|帖子模式

持久存储市场中出现了一个新的参与者,这要归功于Kioxia(以前是东芝)和西部数据,并且可能会促使英特尔和三星改进其自己的解决方案。英特尔Optane技术目前领先,到目前为止三星的Z-NAND还没能撼动局面,但Kioxia和西部数据着手创造一种替代方案XL-FLASH,可以满足企业客户和数据中心不断增长的存储需求。

本质上,XL-FLASH与Optane类似,它位于内存层次结构图中的NAND和RAM之间,将这两种技术的优点结合在一起,从而在成本和性能之间取得平衡。这可以用于高速缓存和纯存储设备,但XL-FLASH的一个更重要的特点是,它的设计与英特尔和AMD平台都兼容。

与基于闪存的存储相比,Optane的价格有点太昂贵了,三星的Z-NAND也是如此,后者实际上只是低延迟的SLC NAND存储,与Optane相比,它提供了更好的耐用性,电源效率,顺序性能和游戏负载性能。两者仍然比基于NAND的解决方案贵几倍。

这也是Kioxia和西部数据在设计XL-FLASH时考虑的一个领域。这两家公司使用BiCS FLASH 3D闪存作为新技术的起点,这意味着与Optane和DRAM相比,它们能够实现相对较低的成本。它们将存储单元堆叠在16个平面上可获得更高的密度,而简化的结构可使读取延迟约为5微秒,编程延迟约为7微秒。

Kioxia和西部数据希望首先将XL-FLASH用作其高密度QLC NAND SSD的SLC缓存,但他们也正在探索制造MLC版本的新存储技术以及DIMM解决方案。最终我们可以购买的用于游戏和工作站PC的消费级XL-FLASH固态硬盘。






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